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适读人群:《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》可作为高等院校微电子技术专业本科生及相关专业研究生的双语教学教材或参考书,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
  

每章开篇给出中文说明,适合双语教学。

内容简介

  

半导体物理与器件(第四版)(英文版)》是微电子技术领域的基础教程。《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,分成三部分,共15章。第一部分为半导体材料属性,主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子;第二部分为半导体器件基础,主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管;第三部分为专用半导体器件,主要介绍光器件、半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。另外,《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》各章难点之后均列有例题、自测题,每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》各章末尾列有习题和参考文献,书后附有部分习题答案。

作者简介

美国新墨西哥大学电气与计算机工程系教授,于新墨西哥大学获博士学位后,成为Hanscom空军基地固态科学实验室电子工程师。1976年加入新墨西哥大学电气与计算机工程系,从事半导体物理与器件课程和电路课程的教学工作。目前仍为该系的返聘教员。出版过MicroelectronicsCircuitAnalysisandDesign,FourthEdition和AnIntroductiontoSemiconductorDevices两本教材。

精彩书评

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目录

第一部分 半导体材料属性

第?1?章 固体晶格结构1
1.0 预习1
1.1 半导体材料1
1.2 固体类型2
1.3 空间晶格3
1.3.1 原胞和晶胞3
1.3.2 基本的晶体结构4
1.3.3 晶面和密勒指数6
1.3.4 晶向9
1.4 金刚石结构10
1.5 原子价键12
*1.6 固体中的缺陷和杂质14
1.6.1 固体中的缺陷14
1.6.2 固体中的杂质16
*1.7 半导体材料的生长17
1.7.1 在熔融体中生长17
1.7.2 外延生长19
1.8 小结20
重要术语解释20
知识点21
复习题21
习题21
参考文献24
第?2?章 量子力学初步25
2.0 预习25
2.1 量子力学的基本原理25
2.1.1 能量量子化26
2.1.2 波粒二相性27
2.1.3 不确定原理30
2.2 薛定谔波动方程31
2.2.1 波动方程31
2.2.2 波函数的物理意义32
2.2.3 边界条件33
2.3 薛定谔波动方程的应用34
2.3.1 自由空间中的电子35
2.3.2 无限深势阱36
2.3.3 阶跃势函数39
2.3.4 势垒和隧道效应44
2.4 原子波动理论的延伸46
2.4.1 单电子原子46
2.4.2 周期表50
2.5 小结51
重要术语解释51
知识点52
复习题52
习题52
参考文献57
第?3?章 固体量子理论初步58
3.0 预习58
3.1 允带与禁带58
3.1.1 能带的形成59
3.1.2 克龙尼克-潘纳模型63
3.1.3 k空间能带图67
3.2 固体中电的传导72
3.2.1 能带和键模型72
3.2.2 漂移电流74
3.2.3 电子的有效质量75
3.2.4 空穴的概念78
3.2.5 金属、绝缘体和半导体80
3.3 三维扩展83
3.3.1 硅和砷化镓的k空间能带图83
3.3.2 有效质量的补充概念85
3.4 状态密度函数85
3.4.1 数学推导85
3.4.2 扩展到半导体88
3.5 统计力学91
3.5.1 统计规律91
3.5.2 费米-狄拉克概率函数91
3.5.3 分布函数和费米能级93
3.6 小结98
重要术语解释98
知识点99
复习题99
习题100
参考文献104
第4章 平衡半导体106
4.0 预习106
4.1 半导体中的载流子106
4.1.1 电子和空穴的平衡分布107
4.1.2 n0方程和p0方程109
4.1.3 本征载流子浓度113
4.1.4 本征费米能级位置116
4.2 掺杂原子与能级118
4.2.1 定性描述118
4.2.2 电离能120
4.2.3 III-V族半导体122
4.3 非本征半导体123
4.3.1 电子和空穴的平衡状态分布123
4.3.2 n0和p0的乘积127
*4.3.3 费米-狄拉克积分128
4.3.4 简并与非简并半导体130
4.4 施主和受主的统计学分布131
4.4.1 概率函数131
4.4.2 完全电离与束缚态132
4.5 电中性状态135
4.5.1 补偿半导体135
4.5.2 平衡电子和空穴浓度136
4.6 费米能级的位置141
4.6.1 数学推导142
4.6.2 EF随掺杂浓度和温度的变化144
4.6.3 费米能级的应用145
4.7 小结147
重要术语解释148
知识点148
复习题149
习题149
参考文献154
第5章 载流子输运现象156
5.0 预习156
5.1 载流子的漂移运动156
5.1.1 漂移电流密度156
5.1.2 迁移率159
5.1.3 电导率164
5.1.4 饱和速度169
5.2 载流子扩散172
5.2.1 扩散电流密度172
5.2.2 总电流密度175
5.3 杂质梯度分布176
5.3.1 感生电场176
5.3.2 爱因斯坦关系178
*5.4 霍尔效应180
5.5 小结183
重要术语解释183
知识点184
复习题184
习题184
参考文献191
第6章 半导体中的非平衡过剩载流子192
6.0 预习192
6.1 载流子的产生与复合193
6.1.1 平衡态半导体193
6.1.2 过剩载流子的产生与复合194
6.2 过剩载流子的性质198
6.2.1 连续性方程198
6.2.2 与时间有关的扩散方程199
6.3 双极输运201
6.3.1 双极输运方程的推导201
6.3.2 掺杂及小注入的约束条件203
6.3.3 双极输运方程的应用206
6.3.4 介电弛豫时间常数214
*6.3.5 海恩斯-肖克莱实验216
6.4 准费米能级219
*6.5 过剩载流子的寿命221
6.5.1 肖克莱-里德-霍尔复合理论221
6.5.2 非本征掺杂和小注入的约束
条件225
*6.6 表面效应227
6.6.1 表面态227
6.6.2 表面复合速度229
6.7 小结231
重要术语解释231
知识点232
复习题233
习题233
参考文献240

第二部分 半导体器件基础

第7章 pn结241
7.0 预习241
7.1 pn结的基本结构241
7.2 零偏243
7.2.1 内建电势差243
7.2.2 电场强度246
7.2.3 空间电荷区宽度249
7.3 反偏251
7.3.1 空间电荷区宽度与电场251
7.3.2 势垒电容(结电容)254
7.3.3 单边突变结256
7.4 结击穿258
*7.5 非均匀掺杂pn结262
7.5.1 线性缓变结263
7.5.2 超突变结265
7.6 小结267
重要术语解释268
知识点268
复习题269
习题269
参考文献275
第8章 pn结二极管276
8.0 预习276
8.1 pn结电流276
8.1.1 pn结内电荷流动的定性描述277
8.1.2 理想的电流-电压关系278
8.1.3 边界条件279
8.1.4 少数载流子分布283
8.1.5 理想pn结电流286
8.1.6 物理学小结290
8.1.7 温度效应292
8.1.8 短二极管293
8.2 产生-复合电流和高注入级别295
8.2.1 产生复合电流296
8.2.2 高级注入302
8.3 pn结的小信号模型304
8.3.1 扩散电阻305
8.3.2 小信号导纳306
8.3.3 等效电路313
*8.4 电荷存储与二极管瞬态314
8.4.1 关瞬态315
8.4.2 开瞬态317
*8.5 隧道二极管318
8.6 小结321
重要术语解释322
知识点322
复习题323
习题323
参考文献330
第9章 金属半导体和半导体异质结331
9.0 预习331
9.1 肖特基势垒二极管331
9.1.1 性质上的特征332
9.1.2 理想结的特性334
9.1.3 影响肖特基势垒高度的
非理想因素338
9.1.4 电流-电压关系342
9.1.5 肖特基势垒二极管与pn结
二极管的比较345
9.2 金属-半导体的欧姆接触349
9.2.1 理想非整流接触势垒349
9.2.2 隧道效应351
9.2.3 比接触电阻352
9.3 异质结354
9.3.1 形成异质结的材料354
9.3.2 能带图354
9.3.3 二维电子气356
*9.3.4 静电平衡态358
*9.3.5 电流-电压特性363
9.4 小结363
重要术语解释364
知识点364
复习题365
习题365
参考文献370
第10章 金属-氧化物-半导体
?场效应晶体管基础371
10.0?预习371
10.1?双端MOS结构371
10.1.1 能带图372
10.1.2 耗尽层厚度376
10.1.3 面电荷密度380
10.1.4 功函数差382
10.1.5 平带电压385
10.1.6 阈值电压388
10.2?电容-电压特性394
10.2.1 理想C-V特性394
10.2.2 频率特性399
10.2.3 固定栅氧化层电荷和
界面电荷效应400
10.3?MOSFET基本工作原理403
10.3.1 MOSFET结构403
10.3.2 电流-电压关系――概念404
*10.3.3 电流-电压关系
――数学推导410
*10.3.4 跨导418
10.3.5 衬底偏置效应419
10.4?频率限制特性422
10.4.1 小信号等效电路422
10.4.2 频率限制因素和截止频率425
*10.5?CMOS技术427
10.6?小结430
重要术语解释431
知识点432
复习题432
习题433
参考文献441
第11章 金属-氧化物-半导体
?场效应晶体管:概念的深入443
11.0?预习443
11.1?非理想效应443
11.1.1 亚阈值电导444
11.1.2 沟道长度调制效应446
11.1.3 迁移率变化450
11.1.4 速度饱和452
11.1.5 弹道输运453
11.2?MOSFET按比例缩小理论455
11.2.1 恒定电场按比例缩小455
11.2.2 阈值电压――一级近似456
11.2.3 全部按比例缩小理论457
11.3?阈值电压的修正457
11.3.1 短沟道效应457
11.3.2 窄沟道效应461
11.4?附加电学特性464
11.4.1 击穿电压464
*11.4.2 轻掺杂漏晶体管470
11.4.3 通过离子注入进行阈值
调整472
*11.5?辐射和热电子效应475
11.5.1 辐射引入的氧化层电荷475
11.5.2 辐射引入的界面态478
11.5.3 热电子充电效应480
11.6?小结481
重要术语解释481
知识点482
复习题482
习题483
参考文献489
第12章 双极晶体管491
12.0?预习491
12.1?双极晶体管的工作原理491
12.1.1 基本工作原理493
12.1.2 晶体管电流的简化表达式495
12.1.3 工作模式498
12.1.4 双极晶体管放大电路500
12.2?少子的分布501
12.2.1 正向有源模式502
12.2.2 其他工作模式508
12.3?低频共基极电流增益509
12.3.1 有用的因素509
12.3.2 电流增益的数学表达式512
12.3.3 小结517
12.3.4 电流增益的计算517
12.4?非理想效应522
12.4.1 基区宽度调制效应522
12.4.2 大注入效应524
12.4.3 发射区禁带变窄526
12.4.4 电流集边效应528
*12.4.5 基区非均匀掺杂的影响530
12.4.6 击穿电压531
12.5?等效电路模型536
*12.5.1 Ebers-Moll模型537
12.5.2 Gummel-Poon模型540
12.5.3 H-P模型541
12.6?频率上限545
12.6.1 延时因子545
12.6.2 晶体管截止频率546
12.7?大信号开关549
12.7.1 开关特性549
12.7.2 肖特基钳位晶体管551
*12.8?其他的双极晶体管结构552
12.8.1 多晶硅发射区双极
结型晶体管552
12.8.2 SiGe基区晶体管554
12.8.3 异质结双极晶体管556
12.9?小结558
重要术语解释559
知识点559
复习题560
习题560
参考文献569
第13章 结型场效应晶体管571
13.0?预习571
13.1?JFET概念571
13.1.1 pnJFET的基本工作原理572
13.1.2 MESFET的基本工作原理576
13.2?器件的特性578
13.2.1 内建夹断电压、夹断
电压和漏源饱和电压578
13.2.2 耗尽型JFET的
理想直流I-V特性582
13.2.3 跨导587
13.2.4 MESFET588
*13.3?非理想因素593
13.3.1 沟道长度调制效应594
13.3.2 饱和速度影响596
13.3.3 亚阈值特性和栅电流效应596
*13.4?等效电路和频率限制598
13.4.1 小信号等效电路598
13.4.2 频率限制因子和截止频率600
*13.5?高电子迁移率晶体管602
13.5.1 量子阱结构603
13.5.2 晶体管性能604
13.6?小结609
重要术语解释609
知识点610
复习题610
习题611
参考文献616

第三部分 专用半导体器件

第14章 光器件618
14.0?预习618
14.1?光学吸收618
14.1.1 光子吸收系数619
14.1.2 电子-空穴对的产生率622
14.2?太阳能电池624
14.2.1 pn结太阳能电池624
14.2.2 转换效率与太阳光集中627
14.2.3 非均匀吸收的影响628
14.2.4 异质结太阳能电池629
14.2.5 非晶态(无定形)硅
太阳能电池630
14.3?光电探测器633
14.3.1 光电导体633
14.3.2 光电二极管635
14.3.3 PIN光电二极管640
14.3.4 雪崩二极管641
14.3.5 光电晶体管642
14.4?光致发光和电致发光643
14.4.1 基本跃迁644
14.4.2 发光效率645
14.4.3 材料646
14.5?光电二极管648
14.5.1 光的产生648
14.5.2 内量子效率649
14.5.3 外量子效率650
14.5.4 LED器件652
14.6?激光二极管654
14.6.1 受激辐射和分布反转655
14.6.2 光学空腔谐振器654
14.6.3 阈值电流658
14.6.4 器件结构与特性660
14.7?小结661
重要术语解释662
知识点663
复习题663
习题664
参考文献668
第15章 半导体功率器件670
15.0?预习670
15.1?隧道二极管670
15.2?耿氏二极管672
15.3?雪崩二极管675
15.4?功率双极晶体管677
15.4.1 垂直式功率晶体管结构677
15.4.2 功率晶体管特性678
15.4.3 达林顿组态682
15.5?功率MOSFET684
15.5.1 功率晶体管结构684
15.5.2 功率MOSFET特性685
15.5.3 寄生双极晶体管689
15.6?半导体闸流管691
15.6.1 基本特性691
15.6.2 SCR的触发机理694
15.6.3 SCR的关断697
15.6.4 器件结构697
15.7?小结701
重要术语解释702
知识点703
复习题703
习题703
参考文献706
附录A 部分参数符号列表707
附录B 单位制、单位换算和通用常数714
附录C 元素周期表717
附录D 能量单位――电子伏特718
附录E 薛定谔波动方程的推导720
附录F 有效质量概念721
附件G 误差函数726
附录H 部分习题参考答案727
索引735

前言/序言

  宗旨与目标
  出版《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》第四版的目的在于将有关半导体器件的特性、工作原理及其局限性的基础知识介绍给读者。要想更好地理解这些基础知识,就必须对半导体材料物理知识进行全面的了解。《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》有意将量子力学、固体量子理论、半导体材料物理和半导体器件物理综合在一起,因为所有这些理论对了解当今半导体器件的工作原理及其未来的发展是非常重要的。
  在这本教科书中所包含的物理知识远远超过了许多半导体器件入门书籍中所涵盖的内容。尽管《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》覆盖面很广,但作者坚信:一旦透彻理解了这些入门知识和材料物理知识,那么对半导体器件物理的理解就会水到渠成,而且会理解得更快,学习效率更高。《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》对基础物理知识的不惜篇幅,将有助于读者更好地理解甚至可能开发出新型的半导体器件。
  既然《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》的目的在于为读者奉献一部有关半导体器件理论的入门书籍,因此许多深奥的理论并未涉及,同时也未对半导体的制造工艺做仔细描述。虽然《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》对诸如扩散和离子注入等制造工艺有所涉猎并进行了一般性讨论,但仅局限于那些对器件特性有直接影响的工艺和场合。
  预备知识
  由于《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》针对的是电气工程领域大学三年级和大学大四级的学生,因此假设读者已经掌握了微分方程、大学物理和电磁学的基础知识。当然,了解现代物理知识更好,但这并不必需。预先修完电子线路基础课程对阅读《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》会更有帮助。
  章节安排
  《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》分为三部分:第一部分介绍量子力学初步知识和半导体材料物理;第二部分介绍半导体器件物理的基本知识;第三部分介绍专用半导体器件,包括光器件、微波器件和功率器件。
  第一部分包括第1章至第6章。第1章先从固体晶格结构开始,然后过渡到理想单晶半导体材料。第2章和第3章介绍量子力学和固体量子理论,这些都是必须掌握的基础物理知识。第4章到第6章覆盖了半导体材料物理知识。其中,第4章讨论热平衡半导体物理,第5章讨论半导体内部的载流子输运现象。非平衡过剩载流子是第6章的主要内容,理解半导体中的过剩载流子行为对于理解器件物理至关重要。
  第二部分包括第7章到第13章。第7章主要讨论pn结电子学;第8章讨论pn结电流-电压特性;第9章讨论整流及非整流金属半导体结和半导体异质结;第10章和第11章阐述MOS场效应晶体管理论;第12章探讨双极型晶体管;第13章阐述结型场效应管。在详尽介绍pn结理论后,关于这三种基本晶体管类型的章节,读者可不必按顺序阅读,因为这些章节彼此之间是相互独立的。
  第三部分包括第14章和第15章。第14章介绍光器件,如太阳能电池和发光二极管;第15章介绍半导体微波器件和半导体功率器件。
  《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》末尾是8个附录。附录A是符号列表,以帮助读者了解各种符号及其含义。附录B包含单位转换表与常数表。附录H给出了部分习题的答案,有助于学生检查自身的学习情况。
  使用说明
  《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》可作为本科生第三学期或第四学期一个学期的教材。和许多课本一样,《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》的内容不可能在一个学期内全部讲授完。这就给授课老师提供了一定的自由空间,授课老师可根据教学目的对教材内容进行取舍。下文给出了两种可供选择的安排,但《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》不是百科《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》。对于可以略过而又不会影响《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》连贯性的章节,我们在目录和对应章节中用*号予以标记。这些章节尽管在半导体器件物理的发展中很重要,但可以推迟讲授。新墨西哥大学电子工程专业大三学生的一门课程广泛使用了《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》中的材料。建议用略小于半个学期的时间学习前六章;剩余的时间用于学习pn结、金属-氧化物-半导体场效应晶体管和双极型晶体管。其他的一些主题可考虑在学期末学习。
  尽管MOS晶体管先于双极型晶体管或结型场效应晶体管阐述,但描述三种基本晶体管类型之一的各个章节都是彼此独立的,任何一种类型都可以先讲。
  注意事项
  《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》引入了有关半导体材料和器件物理等理论知识。虽然许多电子工程系的学生更乐于制作电子电路和计算机编程,而不是去学习有关半导体器件的理论,但是《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》的内容对于理解诸如微处理器等电子器件的局限性是至关重要的。
  数学的应用贯穿《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》,这看起来很枯燥,但最后的结论是其他手段无法获得。尽管有些描述工艺的数学模型看起来很抽象,但它们描述和预言物理过程方向的能力已完全经受住了时间的考验。
  作者鼓励读者经常研读每一章的开始部分,以便深刻领会每章或每个主题的目的。这种不断的复习对学习前五章尤为重要,因为它们讲述的是基础物理知识。
  还应注意的是,尽管有些章节可以略过且不会影响连贯性,但有些教师还是会选择这些章节。因此,标*号的章节并不意味着不重要。
  有些问题可能到课程结束时也得不到解答,理解这一点也很重要。虽然作者不喜欢“它可以这样讲”之类的说法,但书中有些概念的推导确实超出了《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》的范围。《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》对这一科目仅具导论性质。对那些修完课程后还没有解决的问题,我们鼓励读者记下这些问题,或许在后续课程中这些问题就能得到解答。
  教学顺序
  对于教学顺序,每位教师都有自己的选择,但通常有两种方案。第一种方案称为MOSFET方案,是在讲授双极型晶体管之前讲授MOS晶体管。读者会注意到《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》中的MOSFET内容放到了pn结二极管之后的第10章和第11章。
  第二种方案称为双极型方案,也称为传统方案,是在讨论pn结二极管后立即介绍双极型晶体管。由于MOSFET留在学期末讲授,因此到时可能没有足够的时间来讲授这一重要主题。
  遗憾的是,由于时间限制,将每一章中的所有内容在一个学期内都讲完是不可能的。余下的内容可以留到下一个学期讲授或留给读者自学。
  MOSFET方案
  第1章晶格结构
  第2章、第3章量子力学和固体物理选讲
  第4章半导体物理
  第5章输运现象
  第6章非平衡过剩载流子选讲
  第7章pn结
  第10章、第11章MOS晶体管
  第8章pn结二极管
  第9章肖特基二极管简介
  第12章双极型晶体管,其他选讲内容
  双极型方案
  第1章晶格结构
  第2章、第3章量子力学和固体物理选讲
  第4章半导体物理
  第5章输运现象
  第6章非平衡态特性选讲
  第7章、第8章pn结和pn结二极管
  第9章肖特基二极管简介
  第12章双极型晶体管
  第10章、第11章MOS晶体管,其他选讲内容
  第四版新内容
  排列顺序:关于MOSFET的两章移到了双极型晶体管一章的前面。这一改变强调了MOS晶体管的重要性。
  半导体微波器件:第15章中添加了一小节关于三种专用半导体微波器件的内容。
  新附录:添加了关于有效质量概念的附录F。教材的许多计算中使用了两个有效质量。该附录给出了每种有效质量的理论知识,并讨论了何时在特定计算中使用哪一种有效质量。
  预习小节:每章以简介开始,然后以项目列表的形式给出预习内容。每个预习项均给出了该章的一个特殊目标。
  练习题:添加了超过100道练习题,每道例题后面均提供一道练习题。练习题类似于例题,以便读者即时测试对刚讲内容的理解程度。每道练习题均提供有答案。
  测试理解题:每章主要小节末尾添加了约40%的新测试理解题。通常,这些练习题比每个例题后的练习题更全面。这些习题将有助于读者在学习新内容前理解所学内容。
  章末习题:添加了330多道章尾习题,即这一版中有约48%的章末习题是全新的。
  第四版特色
  数学知识更为严密:保留了清晰理解半导体材料和器件物理基本数学知识的严密性。
  例题:书中列举了大量的例子来强化涉及的理论概念,这种做法贯穿《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》。这些例子覆盖了所有分析和设计的细节,因此读者不必自行补充其忽略的步骤。
  小结:每一章的末尾提供了小结部分,它总结了该章得出的结论并复习所描述的基本概念。
  重要术语解释:每章的小结之后列出了重要术语解释,这部分定义并总结了该章所讨论的重要术语。
  知识点:指出了学习该章应该达到的目的及读者应该获得的能力。在转到后续章节前,这些知识可以用来帮助评估学习的进展。
  复习题:每章末有一系列复习题,可用于自测,以让读者了解自己对该章概念的掌握程度。
  章末习题:按照每章中专题出现的顺序,给出了大量的习题。
  小结和复习题:小结和复习节中的一些习题是开放式的设计习题,在多数章的末尾给出。
  参考文献:每章后都附有参考文献,其中那些难度高于《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》的参考书用星号标明。
  部分习题答案:最后的附录给出了部分习题的答案。了解答案会有助于解题。
  联机资源
  《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》的配套网站为www.mhhe.com/neamen。网站上包含有适用于教师的习题解答手册和图像库。教师也可以访问这一版本的完整联机解答手册组织系统,以生成试题并布置作业、生成定制内容、编辑提供的习题和解答。
  致谢
  几年来,我的许多学生帮助我改进了《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》的第四版,当然也包括前几版。在此,对他们的工作表示衷心的感谢,感谢他们的热情与建设性的批评。
  感谢McGraw-Hill公司的许多员工,感谢他们的大力支持。特别要感谢策划编辑PeterMassart和责任编辑LoraNeyens,感谢他们的鼓励、支持和对细节的关注。还要感谢项目经理们在《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》出版的最后阶段提供的指导。
  感谢那些审读过《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》前三版手稿并提出过建设性意见的所有人员,还要感谢那样仔细校对新习题解答的人员。最后,感谢《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》新版本出版前审阅过《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》的人员,他们的贡献和建议对于提升《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》很有价值。
  第四版的审阅人员
  特别感谢如下审阅人员对《半导体物理与器件(第四版)(英文版)》第四版提出的建设性意见与建议:
  SandraSelmic,路易斯安那工学院
  TerenceBrown,密歇根州立大学
  TimothyWilson,俄克拉荷马州立大学
  LiliHe,圣何塞州立大学
  MichaelStroscio,伊利诺伊-芝加哥大学
  AndreiSazonov,滑铁卢大学
  绪论 半导体和集成电路
  我们经常听说我们生活在信息时代。譬如,我们可以通过互联网或卫星通信系统从千里之外获得大量信息,而正是基于数字与模拟电子系统的信息技术和晶体管与集成电路(IC)的发展使之成为可能。IC产品已渗透到我们日常生活的每一个方面,包括CD播放器、传真机、零售店的激光扫描仪和移动电话在内的电子设备,均要使用IC。IC技术最明显的例子之一是数字计算机,与几



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