内容简介

  《高新科技译丛:射频与微波发射机设计》系统地分析了无线电发射机各个方面的新技术(包括电路设计和面向软件的方法),为射频与微波工程构建了从理论到实践的桥梁。《高新科技译丛:射频与微波发射机设计》包含了大量的最新研究成果,不仅有经典结论的介绍和新理论的分析,同时还为读者提供了现代无线电发射机的组成和实用设计方法。文中各章节涉及的主题囊括了电路理论、振荡器、调制和调制器、功率放大器设计基本原理、发射机结构,其中浓缩了作者在射频与微波领域的大量研发经验。

作者简介

    作者:(俄)格列别尼科夫 译者:杨浩、尹军舰、陈晓哲

    Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO电子部门首席理论设计工程师,他曾经任教于澳大利亚Linz大学、新加坡微电子学院、莫斯科通信和信息技术大学。他目前正在讲授研究班课程,在该班上,《高新科技译丛:射频与微波发射机设计》作为国际微波年会论文集。 

目录

介绍
参考文献
第1章无源器件和电路理论
1.1导抗双端口网络的参数
1.2散射参数
1.3双端口网络的互联
1.4实际的双端口网络
1.4.1单一元件网络
1.4.2π型和T型网络
1.5具有共用端口的三端口网络
1.6集总参数元件
1.6.1电感
1.6.2电容
1.7传输线
1.8传输线的类型
1.8.1同轴线
1.8.2带状线
1.8.3微带线
1.8.4槽线
1.8.5共面波导
1.9噪声
1.9.1噪声源
1.9.2噪声系数
1.9.3闪烁噪声
参考文献

第2章有源器件和建模
2.1二极管
2.1.1工作原理
2.1.2肖特基二极管
2.1.3PIN二极管
2.1.4齐纳二极管
2.2VARACTORS
2.2.1变容二极管模型
2.2.2MOS变容管
2.3MOSFETs
2.3.1小信号等效电路
2.3.2非线性I-V模型
2.3.3非线性C-V模型
2.3.4电荷守恒
2.3.5栅源电阻
2.3.6温度依赖性
2.3.7噪声模型
2.4MESFET和HEMlT
2.4.1小信号等效电路
2.4.2等效电路元件的确定
2.4.3Curtice二次非线性模型
2.4.4Parlker-Skellelll非线性模型
2.4.5(2halmers(Angelov)非线性模型
2.4.6IAF(Berroth)非线性模型
2.4.7噪声模型
2.5BJT和HBT
2.5.1小信号等效电路
2.5.2等效电路元件确定
2.5.3本征π型和T型拓扑等效
2.5.4非线性双极器件建模
2.5.5噪声模型
参考文献

第3章阻抗匹配
3.1主要原理
3.2史密斯圆图
3.3集总元件匹配
3.3.1解析设计方法
3.3.2双极管UHF功率放大器
3.3.3MOSFETVHF高功率放大器
3.4传输线匹配
3.4.1解析设计技术
3.4.2集总参数电路和分布式参数电路之间的等效
3.4.3窄带微波功率放大器

第4章变压器、功率合成器和耦合器
第5章滤波器
第6章调制与调制器
第7章混频器和倍频器
第8章振荡器
第9章锁相环
第10章功率放大器设计基础
第11章高效率功率放大器
第12章线性化和效率增强技术
第13章控制电路
第14章发射机结构
参考文献

前言/序言

  《高新科技译丛:射频与微波发射机设计》的主要目标是从通用角度出发提供设计发射机需要的所有相关信息,在不同射频和微波应用中的发射机的主要部件,包括众所周知的和当前新型的体系架构、理论方法、电路仿真结果和实际的实现技术。作为综合性的著作,它对于通过讲授来提升系统的思考、分析计算和实际验证是非常有用的,从而建立射频和微波工程理论与实践之间的桥梁。因此,这《高新科技译丛:射频与微波发射机设计》撰写的初衷是:作为大学教授使用的综合性材料,用于本科生和研究生的课程讲授;结合理论分析和设计实践,为研究人员和科学家开发创新的思路和电路设计技术提供足够的基础;为设计人员和工程师提供了众多知名和新颖的实际电路、架构和包含操作原理与应用详尽描述的理论方法。
  第1章介绍了描述线性和非线性电路行为的基本双端口网络。为描述双极型和场效应晶体管的非线性特性,使用了阻抗Z参数,导纳Y,参数,或混合型的H参数表示其等效电路。另外,传输ABCD参数对于分布参数电路的设计是非常重要的,这些分布参数电路,例如,传输线、或者级联元件,广泛使用散射S参数来简化测量过程。会给出包括带状线、微带线、槽线、共面波导多种类型传输线的设计公式和曲线。在微波频段和便携设备中通常需要使用单片实现的集总参数电感和电容。噪声方面的知识,例如,噪声系数、加性白噪声、低频率函数或有源/无源器件的闪烁噪声,一般来说对于特定和整个发射机的振荡器建模是非常重要的。
  第2章中,讨论了从确定器件小信号等效电路参数开始提供精确器件建模过程所有的必要步骤。给出了MOSFET、MESFET、HEMT和包括异质结(HBTs)BJT器件的各种非线性模型,这些模型对于现代微波单片集成电路是非常精确的。为了突出非线性器件模型之间的优缺点,本章还比较了伏一安和电压一电容特性,以及模型应用的频率范围。
  第3章描述了主要的原理和阻抗匹配工具。一般来说,优化的解决方案取决于电路的需求,例如,在实践实现中的简化、频率带宽和最小功率纹波、设计实施和可调节的能力、稳定运行的条件和足够的谐波抑制。因此给出了集总元件和输电线路在内的许多类型的匹配网络。为了简化和可视化匹配设计的过程,还讨论了使用简单方程和史密斯圆图来计算匹配电路参数的分析方法。此外,还给出了使用双极型或MOSFET器件的宽带和窄带功率放大器的几个例子,同时还给出了完整和详细的设计考虑及解释。
  第4章描述了三端口和四端口网络的基本属性,以及各种不同的合成器、变压器、射频和微波功率应用的定向耦合器。对于解决有源器件功率输出性能不足的功率合成考虑,宽带应用射频功率放大器最好使用结合铁氧体磁芯的同轴合成器。对于高功率,器件的输出阻抗通常过小,需要使用特定阻抗变换的同轴变压器匹配到标准的50Ω负载。对于窄带应用,Ⅳ路威尔金森合成器由于实现简单而被广泛使用。同时,微波应用的合成器尺寸应该非常小。因此,本章描述并分析了常用的混合微带合成器,包括不同类型的微波混合和定向耦合器。
  ……

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